Mikrowellentransistor

Mikrowellentransistor,

 

bei Frequenzen oberhalb 1 GHz verwendbarer Höchstfrequenztransistor, bei dem durch eine spezielle Struktur, z. B. enge Basiszone, Vielfachemitter in Kammstruktur, schnelle Schaltzeiten und damit eine hohe Grenzfrequenz erzielt werden. Mikrowellentransistoren können als bipolare Mikrowellentransistoren mit Grenzfrequenzen bis 6 GHz bei 1 Watt Ausgangsleistung oder auch als Feldeffektmikrowellentransistoren hergestellt werden. Bei Letzteren wird die Schnelligkeit durch die Beweglichkeit der Ladungsträger im elektrischen Feld des Gatekanals begrenzt. Durch Kanallängen von weniger als 1 μm und Verwendung von Galliumarsenid als Halbleitermaterial sind MESFET für Verstärker bis 40 GHz und für Oszillatoren bis 70 GHz verfügbar; bei 6 GHz sind noch etwa 20 Watt Ausgangsleistung möglich.